- Ätzrate
- fскорость травления
Deutsch-Russische Wörterbuch der Chemie. 2014.
Ätzrate
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Ätzrate — ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. etch rate; etch speed vok. Ätzrate, f rus. скорость травления, f pranc. rapidité du décapage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Ätzrate von n-Halbleiter — elektroninio puslaidininkio ėsdinimo greitis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n semiconductor etch rate vok. Ätzrate von n Halbleiter, f rus. скорость травления полупроводника n типа, f pranc. vitesse de décapage du semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
Mikromechanik — Die Mikromechanik ist der Bereich der Mikrosystemtechnik, der sich mit Konstruktion, Herstellung und Anwendung mechanischer Bauelemente mit Abmessungen von wenigen bis mehreren 100 µm befasst. Man unterscheidet einfache Strukturen (z. B … Deutsch Wikipedia
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
Plasma-Ätzen — Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz Verfahren, das besonders in der Halbleitertechnik, Mikrostrukturtechnologie und in der Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. Der Begriff Plasmaätzen… … Deutsch Wikipedia
Plasmaätzen — ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz Verfahren, das besonders in der Halbleiter , Mikrosystem und Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. Der Begriff Plasmaätzen ist ein eher umgangssprachlicher Begriff … Deutsch Wikipedia
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
RIE-Prozess — Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz Verfahren, das besonders in der Halbleitertechnik, Mikrostrukturtechnologie und in der Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. Der Begriff Plasmaätzen… … Deutsch Wikipedia
Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Advanced Silicon Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… … Deutsch Wikipedia
Bosch-Prozess — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… … Deutsch Wikipedia
